[ STMICROELECTRONICS ] STW30NF20 Datasheet下载

厂商:

STMICROELECTRONICS

STMICROELECTRONICS

STMICROELECTRONICS

描述:

N沟道200V - 0.065ヘ - 30A - TO- 220 / TO- 247 / D2PAK低栅极电荷STripFET⑩功率MOSFET

N-channel 200V - 0.065ヘ - 30A - TO-220/TO-247/D2PAK Low gate charge STripFET⑩ Power MOSFET

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STW30NF20 品牌:STMicroelectronics

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
STW30NF20 图片
制造商
STMicroelectronics
系列
STripFET??
包装
管件
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
75 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
38nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1597pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
125W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
标准包装
30
其它名称
497-5989-5

[ STMICROELECTRONICS ] STW30NM60D Datasheet下载

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STMICROELECTRONICS

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描述:

N沟道600V - 0.125 - 30A TO- 247快速二极管的MDmesh MOSFET

N-CHANNEL 600V - 0.125 - 30A TO-247 Fast Diode MDmesh MOSFET

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[ STMICROELECTRONICS ] STW30NM60D Datasheet下载

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STMICROELECTRONICS

STMICROELECTRONICS

STMICROELECTRONICS

描述:

N沟道600V - 0.125 - 30A TO- 247快速二极管的MDmesh MOSFET

N-CHANNEL 600V - 0.125 - 30A TO-247 Fast Diode MDmesh MOSFET

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[ STMICROELECTRONICS ] STW30NM60N Datasheet下载

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STMICROELECTRONICS

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STMICROELECTRONICS

描述:

N沟道600 V , 0.1 Ω , 25 A ,的MDmesh II ?功率MOSFET TO- 220 , TO- 220FP , TO- 247 , D2PAK , I2PAK

N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh? II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAK

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[ STMICROELECTRONICS ] STW30NM60ND Datasheet下载

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STMICROELECTRONICS

STMICROELECTRONICS

STMICROELECTRONICS

描述:

N沟道600V - 0.11ヘ - 25A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩ II功率MOSFET (具有快速二极管)

N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ II Power MOSFET (with fast diode)

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[ STMICROELECTRONICS ] STW30NM60ND Datasheet下载

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STMICROELECTRONICS

STMICROELECTRONICS

STMICROELECTRONICS

描述:

N沟道600 V , 0.11 Ω , 25 A FDmesh ?二功率MOSFET (具有快速二极管)的TO- 220,TO- 220FP , D2PAK , I2PAK ,TO- 247

N-channel 600 V, 0.11 Ω, 25 A FDmesh? II Power MOSFET (with fast diode) TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247

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[ STMICROELECTRONICS ] STW3100 Datasheet下载

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STMICROELECTRONICS

STMICROELECTRONICS

STMICROELECTRONICS

描述:

收发器模块

TRANSCEIVER MODULE

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[ STMICROELECTRONICS ] STW32N65M5 Datasheet下载

厂商:

STMICROELECTRONICS

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描述:

N沟道650 V, 0.095 I? , 24 A, MDmesh? ?? ?在D??PAK , I??PAK V功率MOSFET , TO- 220FP , TO- 220 , TO- 247

N-channel 650 V, 0.095 ??, 24 A, MDmesh??? V Power MOSFET in D??PAK, I??PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247

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STW30NM50N 品牌:STMicroelectronics

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
STW30NM50N 图片
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh? II
包装
管件
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
27A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
115 毫欧 @ 13.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
94nC @ 10V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2740pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
190W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
标准包装
30
其它名称
497-8795-5

STW30NM60N 品牌:STMicroelectronics

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
STW30NM60N 图片
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh? II
包装
管件
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
25A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
130 毫欧 @ 12.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
91nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2700pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
190W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
标准包装
30
其它名称
497-8457-5
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 1.
  • STW30NF20
  • N沟道200V - 0.065ヘ - 30A - TO- 220 / TO- 247 / D2PAK低栅极电荷STripFET⑩功率MOSFET
    N-channel 200V - 0.065ヘ - 30A - TO-220/TO-247/D2PAK Low gate charge STripFET⑩ Power MOSFET

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